Общие рекомендации по выбору SSD : Железо

В настоящее время наша лаборатория проводит эксперимент, посвящённый выяснению того реального ресурса записи, который могут предложить современные массовые твердотельные накопители. В рамках этого эксперимента мы непрерывно перезаписываем данными несколько SSD, пытаясь на практике достичь предела их выносливости. Дело в том, что указываемые в паспортных спецификациях показатели ресурса достоверной характеристикой не являются: эти числа во многом подчинены маркетингу, и в первую очередь призваны разделить массовые и серверные модели по позиционированию и условиям гарантии. На самом же деле даже недорогие накопители способны перенести гораздо больший объём перезаписи, нежели обещают производители.

Подробно следить за тем, как проходит эксперимент, можно в соответствующих обзорах на нашем сайте. В них мы добавили разделы про тесты выносливости, и обновляем их по мере того, как объём записанной информации минует очередные 100 Тбайт:
OCZ Trion 150 240GB (на данный момент записано 20 Тбайт — тестирование только начинается);
Plextor M7V 256GB (на данный момент записано 388 Тбайт — тестирование продолжается);
Samsung 750 EVO 250GB (на данный момент записано 483 Тбайт — тестирование продолжается);
Samsung 850 EVO 250GB (на данный момент записано 667 Тбайт — тестирование продолжается).

Samsung 750 EVO
Samsung 750 EVO 250 Гбайт был включён в тестирование в связи с тем, что компания Samsung, выступающая ведущим производителем твердотельных накопителей, недавно решила обратить своё внимание на нижний ценовой сегмент и специально для него спроектировала SSD на базе планарной TLC NAND с удивительно хорошими скоростными характеристиками.
Samsung 750 EVO 250 Гбайт
Память Samsung 16-нм TLC NAND
Контроллер Samsung MGX
Алгоритм коррекции ошибок LDPC
Заявленный ресурс 70 Тбайт
Выносливость по результатам тестов 592 Тбайт
Для Samsung 750 EVO 250 Гбайт ресурсные испытания завершены. Накопитель выработал весь свой ресурс, и за это время нам удалось записать на него 592 Тбайт данных. Это более чем в 8 раз больше, чем было обещано производителем, что можно считать отличным показателем для SSD, который основан на планарной TLC-памяти, произведённой по одному из «тонких» техпроцессов последнего поколения.
Снять «посмертный» скриншот с показаний S.M.A.R.T. для Samsung 750 EVO 250 Гбайт нам не удалось, но сохранилась выдача фирменной утилиты Magician после записи на накопитель 500 Тбайт данных.

Когда же объём записи превысил 592 Тбайт, SSD просто пропал из системы и перестал как бы то ни было определяться даже BIOS материнской платы. Такое поведение накопителя опровергает утверждение о том, что при исчерпании ресурса накопитель переходит в режим «только для чтения». Подобная функциональность реализуется программно лишь в некоторых продуктах Intel, а в потребительских накопителях других производителей её нет. Поэтому ради сохранности собственных данных следить за состоянием здоровья твердотельных накопителей при высокой нагрузке на них нужно обязательно.
В случае Samsung 750 EVO 250 Гбайт это наверняка бы помогло: назвать его кончину внезапной или скоропостижной совершенно невозможно. Если проанализировать изменения в S.M.A.R.T.-статистике, то момент смерти накопителя окажется вполне предсказуемым. Ведь это произошло ровно в тот момент, когда стал заканчиваться пул резервных блоков флеш-памяти, что было хорошо заметно по изменению нормализованного значения атрибута 05 (Reallocated Sector Count).